Record mondiale per PANASONIC…di nuovo!!!

  • La società nipponica annuncia di aver raggiunto un’efficienza di conversione del 25,6% per le sue celle solari HIT® dalle dimensioni di 143,7 cm quadrati

    Un miglioramento dell’0,9% rispetto al vecchio primato garantisce un nuovo record mondiale per Panasonic

Fotovoltaico: per Panasonic è di nuovo record mondialeLuglio 2014 – E’ bastato un miglioramento di solo lo 0,9% delle prestazioni e la divisione Solar di Panasonic Corporation è riuscita a segnare un record mondiale. L’ennesimo record per la precisione, raggiunto grazie alla sua linea di celle solari HIT® che ancora una volta ha dimostrato di sapersi superare segnando un altro ottimo valore di efficienza. Nel dettagli i ricercatori della società nipponica hanno ottenuto un’efficienza di conversione del 25,6% su una cella di 143,7 cm quadrati, primo superamento della barriera del 25% per celle di dimensioni pratiche. A rendere possibile nuovamente questo record mondiale per Panasonic sono stati gli ultimi progressi nella tecnologia di eterogiunzione di cui Panasonic detiene il brevetto. Il fotovoltaico HIT deve le sue prestazioni in particolar modo a tre elementi:

 

1. Riduzione delle perdite di prestazioni dovute alla ricombinazione dei portatori di carica (particelle elettriche generate dalla luce) tramite strati di laminature di silicio amorfo di alta qualità sulla superficie del substrato di silicio monocristallino, dove l’energia viene generata.

2. Riduzione della perdita ottica. Questa innovazione ha reso possibile un netto miglioramento nella densità della corrente di corto circuito (Jsc), con un valore di 41,8 mA/cm2 rispetto al precedente dato di Panasonic, di 39,5 mA/cm2 (nel caso di una cella con efficienza di conversione del 24,7%).

3. Minimizzazione della perdita di resistenza, collocando gli elettrodi sul lato posteriore. Inoltre, è stato ottenuto un elevato fattore di riempimento (o FF, fill factor) pari a 0,827 anche su celle di dimensioni pratiche, migliorando le prestazioni in termini di perdita di resistenza sullo strato di silicio amorfo.

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